LT-SD002型四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)-改進(jìn)形范德堡測(cè)量方法測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高正確度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
1、 儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
2、采用了最新電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配，具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
3、適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
4、是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測(cè)試界面的用戶程序，通過此測(cè)試程序輔助使用戶簡(jiǎn)便地進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試及獲得測(cè)試數(shù)據(jù)并對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
5、測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。
測(cè)量范圍 |
電阻率：10-5～105 Ω.cm(可擴(kuò)展)； |
方塊電阻：10-4～106 Ω/□(可擴(kuò)展)； |
電導(dǎo)率：10-5～105 s/cm； |
電阻：10-5～105 Ω； |
v
可測(cè)晶片直徑 |
140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))； |
200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))； |
400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))； |
恒流源 |
電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào) |
數(shù)字電壓表 |
?量程及表示形式：000.00～199.99mV； |
?分辨力：10μV； |
?輸入阻抗：>1000MΩ； |
?精度：±0.1% ； |
?顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示； |
四探針探頭基本指標(biāo) |
?間距：1±0.01mm； |
?針間絕緣電阻：≥1000MΩ； |
? 機(jī)械游移率：≤0.3%； |
?探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； |
?探針壓力：5～16 牛頓(總力)； |
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) |
?(見探頭附帶的合格證) |
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 |
?0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 |
( 按JJG508-87進(jìn)行) |
整機(jī)測(cè)量最大相對(duì)誤差 |
(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5% |
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 |
?≤5% |
測(cè)試模式 |
?可連接電腦測(cè)試也可不連接電腦測(cè)試 |
軟件功能（選配） |
軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)最大值、最小值、平均值、最大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測(cè)量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測(cè)試。 |
計(jì)算機(jī)通訊接口 |
?并口，高速并行采集數(shù)據(jù)，連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5? 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時(shí)）。 |
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 |
?溫度：23±2℃； |
?相對(duì)濕度：≤65%； |
?無高頻干擾； 無強(qiáng)光直射； |
執(zhí)行GB/T1550-2018《非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法》
GB/T 1551-2009《硅單晶電阻率的測(cè)定方法》
GB T 1552-1995 《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法》
ASTM F84-1984 《用直線四探針測(cè)量硅片電阻率的標(biāo)準(zhǔn)方法》
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